等离子体刻蚀硅基薄膜工艺研究开题报告

1. 研究目的与意义

研究背景：

等离子体刻蚀是一种在微电子制造中广泛应用的技术，它利用低压气体中产生的等离子体来去除或修饰目标材料的表面，可以实现高精度、高选择性、高均匀性和高方向性的图形转移。硅基薄膜是一种具有重要应用前景的半导体材料，它可以用于制备太阳能电池、显示器、传感器等器件。硅基薄膜的质量和性能与其表面形貌和结构密切相关，因此需要对其进行精细的刻蚀处理。

等离子体刻蚀硅基薄膜研究是为了探索不同刻蚀参数对硅基薄膜表面形貌和结构的影响，以及优化刻蚀工艺，提高硅基薄膜器件的性能和可靠性。

2. 研究内容和预期目标

研究内容:

等离子体刻蚀利用等离子体中的自由基和带电粒子对材料表面进行化学或物理的刻蚀。包括：

1. 等离子体源的类型和特性，如容性耦合等离子体、电感耦合等离子体、电子回旋共振等离子体等；

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   3. 研究的方法与步骤

   (1) 通过调研了解硅基薄膜的应用情况和常用刻蚀方法；

   (2) 学习电感耦合等离子体刻蚀设备的原理和相关设备的应用；

   (3) 利用电感耦合等离子体刻蚀设备对不同类型硅基薄膜材料进行刻蚀研究；

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   4. 参考文献

   [1]倪烨, 徐浩, 孟腾飞,等. 基于硅基wlp封装的深孔刻蚀工艺研究[j]. 材料导报, 2021, 35(s02):110-114.

   [2]范亚娟. 氮化硅薄膜刻蚀研究[j]. 耐火与石灰, 2018, 43(5):21-22,35.

   [3]郑志霞, 冯勇建. 大面积悬空浓硼硅薄膜icp刻蚀工艺研究[j]. 电子测量与仪器学报, 2015, 29(11): 1706-1710.

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   5. 计划与进度安排

   第七学期 2024年12月16-2024年1月10日 联系老师，了解毕业论文总体情况，查阅文献资料任务。

   第八学期：

   （1）1周 2024年2月20日-2月26日 查看毕业论文任务书，再次查阅所选论文题目的状况和要求等；

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