1. 研究目的与意义（文献综述包含参考文献）
文 献 综 述1.前言2004年，英国曼彻斯特大学a.k.geim课题组首次剥离了单层石墨烯[1]，并证明了其稳定性，打破了此前学术界对二维材料因热涨落大于其所能承受极限而不能稳定存在的观点。
随着研究的不断深入，越来越多的二维材料被发现并被合成，如bn[2]、tmds[3]和mxenes[4]等等。
然而，二维材料在自旋电子学中的应用进展非常缓慢，这主要是由于传统二维材料缺乏磁序。
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2. 研究的基本内容、问题解决措施及方案
1. 要研究或解决的问题本课题通过密度泛函理论(dft)，研究不同堆叠结构对单层 cri3 与 vse2 接触体系的电学性质的影响。
选取cri3作为沟道材料vse2作为金属电极，研究单层cri3半导体与 vse2 界面接触特性。
考虑失配率、堆叠方式等影响因素，构建合理的本征单层cri3和vse2以及vse2-cri3接触模型结构，选出结构最稳定的模型。
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